Samsung défie les limites de la technologie avec le DRAM GDDR7 : La nouvelle étoile de l’innovation graphique

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Samsung Electronics Co., Ltd, pionnier mondial dans le domaine des technologies de semi-conducteurs avancées, a révélé aujourd’hui avoir finalisé le développement du premier DRAM Graphics Double Data Rate 7 (GDDR7) de l’industrie. Ce dernier sera en premier lieu intégré aux systèmes de nouvelle génération de certains clients stratégiques pour des tests cette année, impulsant ainsi l’essor futur du marché graphique et renforçant d’autant plus la suprématie technologique de Samsung dans ce secteur.

Une Nouvelle Etape Après le GDDR6

Après avoir mis au point le tout premier DRAM GDDR6 de 24 Gbps de l’industrie en 2022, l’offre de 16 gigabits (Gb) de Samsung en GDDR7 délivrera la vitesse la plus élevée de l’industrie. Des innovations dans la conception de circuits intégrés (IC) et l’emballage apportent une stabilité accrue malgré les opérations à haute vitesse.

“Notre DRAM GDDR7 aidera à améliorer les expériences des utilisateurs dans des domaines qui nécessitent des performances graphiques exceptionnelles, tels que les stations de travail, les PC et les consoles de jeux, et devrait se développer dans des applications futures telles que l’IA, l’informatique à haute performance (HPC) et les véhicules automobiles”, a déclaré Yongcheol Bae, vice-président exécutif de l’équipe de planification des produits mémoire chez Samsung Electronics. “La DRAM graphique de nouvelle génération sera mise sur le marché en fonction de la demande de l’industrie et nous prévoyons de continuer à assurer notre leadership dans ce domaine.”

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GDDR7 : Une Performance Impressionnante

Le GDDR7 de Samsung atteint une bande passante impressionnante de 1,5 téraoctets par seconde (TBps), soit 1,4 fois celle du GDDR6 à 1,1 TBps, et offre une vitesse par broche augmentée jusqu’à 32 Gbps. Ces améliorations ont été rendues possibles grâce à la méthode de signalisation Pulse-Amplitude Modulation (PAM3) adoptée pour la nouvelle norme mémoire, au lieu de la Non-Return-to-Zero (NRZ) des générations précédentes. Le PAM3 permet de transmettre 50 % de données en plus que le NRZ dans le même cycle de signalisation.

Un Design Économe en Énergie

De manière significative, par rapport au GDDR6, le dernier design est 20 % plus économe en énergie grâce à une technologie de conception optimisée pour les opérations à haute vitesse. Pour les applications particulièrement soucieuses de la consommation d’énergie, comme les ordinateurs portables, Samsung propose une option à faible tension de fonctionnement.

Pour minimiser la génération de chaleur, un composé de moulage à l’époxy (EMC) à haute conductivité thermique est utilisé pour le matériau d’emballage, en plus de l’optimisation de l’architecture IC. Ces améliorations réduisent considérablement la résistance thermique de 70 % par rapport au GDDR6, contribuant à la performance stable du produit même dans des conditions d’opérations à haute vitesse.

Avec cette avancée, Samsung continue de se positionner à l’avant-garde de l’innovation technologique, ouvrant de nouvelles perspectives pour la prochaine génération de performances graphiques.

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Eric GARLETTI
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